关于反激开关管中的Vds电压尖峰波形问题，是许多电源工程师在设计测试电源中的常见问题，而且有时采用一些方法后仍然无法避免尖峰波形的出现。很多初学者往往希望通过公式计算来影响和避免尖峰波形，但因为在实际电路中影响的因素非常广泛，而且每个电源都有不同的设计问题，因此我们这里提供的是一种调试方向。本文中针对反激开关管的Vds电压尖峰问题进行定性分析，从而为降低此尖峰提供指导方向。
下面的示意图对解决反激开关管的Vds电压尖峰问题有帮助。
首先来看看MOS应力公式：(理想化处理，不影响结论)
Vds = Vin + n * Vo + Vspike
=Vin + n * Vo + Ipk * (Lk/C1)0.5
这里两个主要参数的意义：
Lk是变压器漏感(实际还应包含PCB寄生电感)；
C1为RCD钳位电容(实际还应包含MOS DS两端的电容，一般远小于C1，故忽略)。
见下图：
同时上图也标注出了具体如何实现以及对可能的副作用进行确认。对于大家碰到的开关管Vds电压尖峰问题，90%以上可以采用图中的方法解决，不再为电压尖峰烦恼。
如果图中采用的方法还解决不掉，就需要更加细化，可以采用以下几个整改方向：
- layout走线优化(功率回路尽量短，使pcb电感尽量小；同时也注意RCD的走线，这里除了会影响尖峰，也会影响传导的高频段和辐射)；
- 调整RCD中的D；(需要重新确认效率、传导、辐射)
- 调整RCD中的R；(需要重新确认效率、传导、辐射)
- 一般Rsense到IC CS pin都有个RC，调整RC时间常数；(需要重新确认过功率点)
- 调整副边二极管的吸收参数。(需要重新确认效率、传导、辐射)
图一中的方法加上以上的5钟方法，基本上可以解决所有电压尖峰问题。对于反激的大部分应用，用600V的MOS就够了。当然了，有特殊要求，如有较大裕量要求的，可能就要用更高耐压的MOS了，但一般对效率不利。